特許

J-GLOBAL ID：200903046730425584

炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法

発明者： 上谷 ▲高▼弘 ,  松下 保彦 ,  國里 竜也 ,  狩野 隆司 ,  上田 康博
出願人/特許権者： 三洋電機株式会社
代理人 (1件)： 西野 卓嗣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-337360
公開番号（公開出願番号）：特開平6-188451
出願日： 1992年12月17日
公開日（公表日）： 1994年07月08日
要約：

【要約】【目的】 高光出力の炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 グラファイト製ルツボ4内に収納された不純物を含むSi融液5中にSiC単結晶基板8を浸漬し、該基板8上にp型,n型SiC層を成長する際、p型SiC層の成長温度をn型SiC層の成長温度に比べて低くする。

請求項（抜粋）：

ルツボ内の原料融液中にSiC単結晶基板を浸漬し、該基板上にp型SiC層並びにn型SiC層を液相エピタキシャル成長方法を用いて形成する炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法において、p型SiC層の成長温度をn型SiC層の成長温度より低く設定したことを特徴とする炭化ケイ素発光ダイオード素子の製造方法。