特許
J-GLOBAL ID：200903046743208868

半田付け方法

発明者：
石川 真一

石川 真一 について


出願人/特許権者：
サンケン電気株式会社

サンケン電気株式会社 について


代理人 (1件)： 木村 満 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-379955
公開番号（公開出願番号）：特開2002-185118
出願日： 2000年12月14日
公開日（公表日）： 2002年06月28日
要約：
【要約】 (修正有)【課題】 電極の表面が侵食されず、導電体と電極とを良好に接続することができる半田付け方法を提供する。【解決手段】 コイル装置1は、導電体と導電体を被覆する絶縁膜とから構成された巻線2と、電極5とを備えている。電極にはニッケルメッキ膜からなる表面メッキ膜が0.5μm以上の厚さに形成されている。そして、ニッケルメッキ膜が侵食されず、かつ絶縁膜を溶融させ、導電体の構成金属と電極の構成金属とが半田成分と合金を形成可能な半田温度及び浸積時間で、導電体と電極とを接続させる。
請求項（抜粋）：
少なくとも一方が絶縁膜により被覆された導電体と電極とを半田で接続する半田付け方法であって、前記電極が侵食されず、かつ前記絶縁膜を溶融させ、前記導電体の構成金属と前記電極の構成金属とが半田成分と合金を形成可能な条件で、前記導電体と前記電極とを半田で接続する、ことを特徴とする半田付け方法。
IPC (7件)：
H05K 3/34 506 ,  H05K 3/34 512 ,  B23K 1/00 330 ,  B23K 1/08 310 ,  B23K 1/20 ,  B23K 31/02 310 ,  B23K101:36
FI (7件)：
H05K 3/34 506 C ,  H05K 3/34 512 C ,  B23K 1/00 330 D ,  B23K 1/08 310 ,  B23K 1/20 Z ,  B23K 31/02 310 F ,  B23K101:36
Fターム (4件)：
4E080AA10 ,  4E080AB02 ,  5E319AB10 ,  5E319CC23
引用特許：
審査官引用 (1件)
  • インダクタンス素子
    公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-147104   出願人：松下電器産業株式会社

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