特許

J-GLOBAL ID：200903046744378007

坩堝および半導体インゴットの製造方法

発明者： 後藤 繁
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-095858
公開番号（公開出願番号）：特開2006-275426
出願日： 2005年03月29日
公開日（公表日）： 2006年10月12日
要約：

【課題】シリコン融液の温度を必要以上に上昇した状態で、坩堝内のシリコン融液を鋳型内に供給されるといった問題点を解消した坩堝および半導体インゴットの製造方法を提供する。【解決手段】底部に半導体融液を排出する排液口を有し、該排液口を前記半導体融液と同成分の栓体により閉栓されてなる坩堝において、 前記排液口は、前記栓体を破壊手段で破壊することによって開栓されることを特徴とする坩堝。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

底部に半導体融液を排出する排液口を有し、該排液口を前記半導体融液と同成分の栓体により閉栓されてなる坩堝において、 前記排液口は、前記栓体を破壊手段で破壊することによって開栓されることを特徴とする坩堝。

IPC (3件)：

F27B 14/18 ,  B22D 25/04 ,  F27D 3/14

FI (3件)：

F27B14/18 ,  B22D25/04 Z ,  F27D3/14 B

Fターム (23件)：

4G072AA01 ,  4G072BB01 ,  4G072BB12 ,  4G072GG03 ,  4G072GG05 ,  4G072HH01 ,  4G072MM38 ,  4G072NN02 ,  4G072UU01 ,  4G072UU02 ,  4K046AA01 ,  4K046AA07 ,  4K046BA05 ,  4K046CA03 ,  4K046CD02 ,  4K046CE05 ,  4K046CE08 ,  4K046EA02 ,  4K055AA04 ,  4K055BA05 ,  4K055HA07 ,  4K055JA13 ,  4K055JA17

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 溶解装置およびそれを用いた溶解方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-047089   出願人：京セラ株式会社