特許
J-GLOBAL ID：200903046745044501
受動素子を有する半導体デバイスおよびそれを作製する方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
桑垣 衛
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-521340
公開番号（公開出願番号）：特表2004-507105
出願日： 2001年08月17日
公開日（公表日）： 2004年03月04日
要約：
半導体デバイスおよび半導体デバイスを作製する方法。基板(10)と直接電気的に連絡するダマシン金属層(16)が絶縁誘電層(12)内に形成される。第1のキャパシタ電極層(20)のような受動素子の層が金属層(16)の上に配置され、好ましくは、ビア(36)を通じて金属層(16)に直接電気的に相互接続することができるように金属層(16)に対して位置がずらさされる。1つの実施形態では、キャパシタとレジスタはデバイス中の受動素子として形成される。別の実施形態では、受動素子は少なくとも1つのレジスタ(28)および任意選択で第2のレジスタ(32)を備える。さらに別の実施形態では、金属層(16)はダマシン銅層である。
請求項（抜粋）：
半導体デバイスを製造する方法であって、
半導体基板を提供するステップ;
前記半導体基板の上に絶縁層を形成するステップ;
前記絶縁層中に、半導体基板と電気的に連絡するための第1のダマシン金属層を形成するステップ;
前記の第1のダマシン金属層上に、第1のキャパシタ電極と第2のキャパシタ電極とを有するキャパシタを形成するステップ;
第1のダマシン金属層上に、第1のキャパシタ電極を形成するのに用いたのと同じ材料の層で形成される少なくとも1つのレジスタを形成するステップ;および
キャパシタと電気的に連絡するための第2の金属層を形成するステップ;からなる方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L27/04 C
, H01L27/04 P
5F038AC04
, 5F038AC05
, 5F038AC15
, 5F038AR07
, 5F038AR08
, 5F038EZ20
