特許

J-GLOBAL ID：200903046747174399

樹脂封止型半導体装置

発明者： 西川 昌孝
出願人/特許権者： シャープ株式会社
代理人 (1件)： 梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-068124
公開番号（公開出願番号）：特開平8-264678
出願日： 1995年03月27日
公開日（公表日）： 1996年10月11日
要約：

【要約】【構成】 半導体チップ1の回路形成面と半導体チッ1プより面積の小さいプリント基板2の配線形成面の裏面とが接着剤6により接合され、且つ、プリント基板1の配線形成面の、ワイヤー5と接続する領域及びボール状電極4が設けられる領域を除き、フッ素系等の保護用樹脂7からなる保護膜が形成され、半導体チップ1の外周部に形成された電極とプリント基板2に形成された配線とがワイヤ-5により電気的に接続され、且つ、ワイヤー5をエポキシ系の保護用樹脂3が形成され、且つ、プリント基板2の配線形成面に配線と電気的に接続されたボール状電極4を設る。【効果】 ワイヤーのループを従来より低くすることができ、また、プリント基板の厚さ又はワイヤーを保護する保護用樹脂の厚さの内、薄いほうの厚さ分だけ従来より薄型にすることができる。

請求項（抜粋）：

外周部に電極が形成された半導体チップの回路形成面と該半導体チップより面積の小さいプリント基板の配線形成面の裏面とが、上記半導体チップに形成された電極が露出するように接合され、且つ、上記半導体チップの外周部に形成された電極と上記プリント基板に形成された配線とがボンディングにより電気的に接続され、且つ、上記プリント基板の配線形成面に該配線と電気的に接続されたボール状の電極を設けたことを特徴とする樹脂封止型半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 23/12 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 23/12 L ,  H01L 23/30 D ,  H01L 23/30 R

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 電子部品組立体
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-216853   出願人：日本電気株式会社
• 特表平6-504408