特許

J-GLOBAL ID：200903046765876376

窒化物半導体発光ダイオード

発明者： 梅本 整 ,  山田 孝夫 ,  中村 修二
出願人/特許権者： 日亜化学工業株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-140966
公開番号（公開出願番号）：特開平8-335720
出願日： 1995年06月08日
公開日（公表日）： 1996年12月17日
要約：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなる発光チップの電極の剥がれ、ワイヤーの切れ等を無くすことにより、長寿命で信頼性に優れた窒化物半導体LEDを提供する。【構成】 基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、JIS-A硬度30以下の樹脂か、若しくはゲル状、又は液状の封止材料で直接包囲されている。

請求項（抜粋）：

基板上に窒化物半導体がヘテロエピタキシャル成長されて、同一面側に正、負一対の電極が設けられてなる発光チップが、JIS-A硬度30以下の樹脂か、若しくはゲル状、又は液状の封止材料で直接包囲されていることを特徴とする窒化物半導体発光ダイオード。

IPC (4件)：

H01L 33/00 ,  H01L 23/18 ,  H01L 23/29 ,  H01L 23/31

FI (3件)：

H01L 33/00 N ,  H01L 23/18 ,  H01L 23/30 F

引用特許：

審査官引用 (9件)

• 特開昭52-071179
  
• 特開昭54-019660
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-126040
  
• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-129313   出願人：日亜化学工業株式会社
• 特開昭52-071179
  
• 特開昭54-019660
  
• 特開昭50-042785
  
• 特開昭51-126040