特許
J-GLOBAL ID：200903046767480712

バンプ形成方法

発明者：
柴田 和孝

柴田 和孝 について


出願人/特許権者：
ローム株式会社

ローム株式会社 について


代理人 (1件)： 吉田 稔 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-273259
公開番号（公開出願番号）：特開2000-106380
出願日： 1998年09月28日
公開日（公表日）： 2000年04月11日
要約：
【要約】【課題】 半導体チップなどの所定の対象物の端子部に、作業効率良く、しかも比較的に小さい多数のバンプを高密度に形成する場合であっても確実に対応することができるバンプ形成方法を提供する。【解決手段】 端子部10が形成された所定の対象物1に、上記端子部10に導通するバンプ30を形成する方法において、対象物1における端子部形成面側1aに絶縁層2を形成するとともに、この絶縁層2に貫通孔20を形成してこの貫通孔20から端子部10を臨ませる工程と、貫通孔20内および絶縁層2の上面における少なくとも貫通孔20周りの領域に導体層3を形成する工程と、導体層3を加熱溶融させる工程と、を含ませた。好ましくは、対象物は、半導体チップ1、半導体チップを構成すべき複数の回路素子が一体的に造り込まれたウエハ、半導体チップが実装されて半導体装置を構成する絶縁性基板、あるいは電子部品が実装される回路基板である。
請求項（抜粋）：
端子部が形成された所定の対象物に、上記端子部に導通するバンプを形成する方法であって、上記対象物における端子部形成面側に絶縁層を形成するとともに、この絶縁層に貫通孔を形成してこの貫通孔から上記端子部を臨ませる工程と、上記貫通孔内および上記絶縁層の上面における少なくとも上記貫通孔周りの領域に導体層を形成する工程と、上記導体層を加熱溶融する工程と、を含むことを特徴とする、バンプ形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/60 ,  H01L 21/60 311 ,  H01L 23/12
FI (4件)：
H01L 21/92 604 E ,  H01L 21/60 311 Q ,  H01L 21/92 604 S ,  H01L 23/12 L
Fターム (5件)：
5F044KK18 ,  5F044KK19 ,  5F044MM35 ,  5F044QQ03 ,  5F044QQ04
引用特許：
審査官引用 (2件)

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