特許
J-GLOBAL ID：200903046782047480

半導体装置

発明者：
阿川 謙一

阿川 謙一 について


出願人/特許権者：
株式会社東芝

株式会社東芝 について


代理人 (1件)： 三好 秀和 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-315443
公開番号（公開出願番号）：特開平11-150265
出願日： 1997年11月17日
公開日（公表日）： 1999年06月02日
要約：
【要約】【課題】 この発明は、微細化を図り高集積化を達成し得る半導体装置を提供することを課題とする。【解決手段】 この発明は、ゲート電極5を半導体基板1の表面と垂直方向に半導体基板1中に形成し、チャネル領域を半導体基板1の表面と垂直方向に形成して構成される。
請求項（抜粋）：
接合型電界効果トランジスタの半導体装置であって、半導体基板中に形成されたソース領域とドレイン領域に挟まれた前記半導体基板中に、前記半導体基板の表面方向に対して垂直方向にゲート電極が形成され、ソース領域とドレイン領域間を流れる電流のチャネル領域が前記ゲート電極に沿って前記半導体基板の表面に対して垂直方向に形成されてなることを特徴とする半導体装置。
引用特許：
審査官引用 (3件)

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