高融点金属含有膜のエッチング方法並びにそれを用いた半導体装置およびその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：高田守 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-214838
公開番号（公開出願番号）：特開平9-063988
出願日： 1995年08月23日
公開日（公表日）： 1997年03月07日
要約：

【要約】【課題】側壁付着物の生成が防止でき、優れた寸法精度の得られる高融点金属含有膜のエッチング方法を得る。【解決手段】シリコン酸化膜4をマスクとし、Arガスに10容量%の酸素を添加した5mtorrのエッチングガスで、反応性プラズマを用いて白金膜3をエッチングした。

請求項（抜粋）：

反応性プラズマを用いた高融点金属含有膜のドライエッチングにおいて、シリコン酸化膜をマスクとし、エッチングガスとして希ガスに希ガスより少量の酸素を添加した混合ガスを用いたことを特徴とする高融点金属含有膜のエッチング方法。

IPC (2件)：

H01L 21/28 , H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 21/28 F , H01L 21/302 F

引用特許：

審査官引用 (5件)

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