微細パターンの形成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：青木朗 (外4名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-052600
公開番号（公開出願番号）：特開平5-226300
出願日： 1991年03月18日
公開日（公表日）： 1993年09月03日
要約：

【要約】【目的】量子力学でのトンネル電流を利用した微細パターンの形成方法に関し、従来よりも容易にかつ制御性良く微細パターンを形成する方法を提供することを目的とする。【構成】半導体基板1の上に金属薄膜2を形成し、金属探針3を該金属薄膜2に近づけかつ該金属探針4に電圧を印加してトンネル電流を発生させ、半導体基板1を構成する元素を金属薄膜中を拡散させ該金属薄膜2上で酸化ないし窒化させて絶縁物とし、この絶縁物で所定パターン5を形成するように構成する。

請求項（抜粋）：

半導体基板(1)の上に金属薄膜(2)を形成し、金属探針(4)を該金属薄膜(2)に近づけかつ該金属探針(4)に電圧を印加してトンネル電流を発生させ、前記半導体基板(1)を構成する元素を前記金属薄膜(2)中を拡散させ該金属薄膜(2)上で酸化ないし窒化させて絶縁物とし、この絶縁物で所定パターン(5)を形成することを特徴とする微細パターンの形成方法。

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