半導体集積回路装置の製造方法および半導体集積回路装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：筒井大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-163033
公開番号（公開出願番号）：特開平7-022510
出願日： 1993年07月01日
公開日（公表日）： 1995年01月24日
要約：

【要約】【目的】マスタスライス方式を採用する半導体集積回路装置の開発期間を短縮する。【構成】予め半導体チップ領域に形成されていた複数の基本セル8を配線接続することによって構成された所定の回路を有する半導体集積回路装置のレイアウト設計に際して、複数の基本セル8と前記所定の回路に電源を供給する複数の電源配線と所定の回路に外部から電源を供給するために前記半導体チップ領域の最上層に形成される電源用のCCBバンプ7aとが各々の配置規則に整合性を持った状態で配置されてなる電源ブロックセル6を作成する工程と、電源ブロックセル6を所定の回路の形成領域に繰り返し配置する工程とを有する半導体集積回路装置の製造方法である。

請求項（抜粋）：

予め半導体チップ領域に形成されていた複数の基本セルを配線接続することによって構成された所定の回路を有する半導体集積回路装置のレイアウト設計に際して、前記複数の基本セルと前記所定の回路に電源を供給する複数の電源配線と前記所定の回路に外部から電源を供給するために前記半導体チップ領域の最上層に形成される電源電極とが各々の配置規則に整合性を持った状態で配置されてなる電源ブロックセルを作成するレイアウト工程と、前記電源ブロックセルを前記所定の回路の形成領域に繰り返し配置するレイアウト工程とを有することを特徴とする半導体集積回路装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/82 , H01L 27/04 , H01L 21/822

FI (2件)：

H01L 21/82 L , H01L 27/04 A

引用特許：

審査官引用 (6件)

半導体集積回路装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-180807 出願人：株式会社日立製作所
特開昭64-007536
特開平3-178148

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