特許
J-GLOBAL ID：200903046803376633
導電体ペーストおよびセラミック電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (4件)：
前田 均
, 西出 眞吾
, 大倉 宏一郎
, 佐藤 美樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-045794
公開番号（公開出願番号）：特開2007-227103
出願日： 2006年02月22日
公開日（公表日）： 2007年09月06日
要約：
【課題】セラミック電子部品の内部電極を形成するために用いられ、得られる内部電極層の薄層化が可能な導電体ペーストを提供すること。【解決手段】導電体粒子と、セラミック粉末からなる共材と、有機ビヒクルと、を含有し、この導電体ペースト膜をSEM観察して得られるSEM像において、次の(A)および(B)を満足する導電体ペースト。(A)2.25μm×3μmの面積を有する被測定領域に存在する導電体粒子の存在個数に関し、複数の前記被測定領域内に存在する導電体粒子の存在個数の平均値xと、標準偏差σとから算出される導電体粒子の分布のC.V.値が20%以下である。(B)各導電体粒子の中心から、最も近い距離に存在する他の導電体粒子の中心までの距離である最近接粒子間距離D1に関し、前記導電体粒子の平均粒子径D2との関係が、D1≦D2である最近接粒子間距離の割合が50%以下である。【選択図】なし
請求項（抜粋）：
導電体粒子と、セラミック粉末からなる共材と、有機ビヒクルと、を含有する導電体ペーストであって、
前記導電体ペーストを、基板上に印刷法により形成し、乾燥して、導電体ペースト膜とした場合に、前記導電体ペースト膜をSEM観察することにより得られるSEM像において、下記(A)および(B)を満足する導電体ペースト。
(A)SEM観察により得られる前記SEM像において、2.25μm×3μmの面積を有する被測定領域に存在する導電体粒子の存在個数に関し、複数の前記被測定領域内に存在する導電体粒子の存在個数の平均値xと、存在個数の標準偏差σとから、下記式(1)に基づいて算出される導電体粒子の分布のC.V.値が20%以下である。
C.V.値=(存在個数の標準偏差σ/存在個数の平均値x)×100 ...(1)
(B)SEM観察により得られる前記SEM像において、前記導電体ペースト膜を構成する各導電体粒子の中心から、最も近い距離に存在する他の導電体粒子の中心までの距離で定義される、最近接粒子間距離に関し、前記最近接粒子間距離をD1、前記導電体粒子の平均粒子径をD2とした場合に、D1≦D2の関係を満足する最近接粒子間距離の割合が50%以下である。
IPC (4件)：
H01B 1/22
, H01G 4/12
, H01G 4/30
, H01G 13/00
H01B1/22 A
, H01G4/12 361
, H01G4/12 364
, H01G4/30 301C
, H01G13/00 391B
5E001AB03
, 5E001AC09
, 5E001AJ01
, 5E082AB03
, 5E082EE04
, 5E082EE11
, 5E082EE23
, 5E082EE35
, 5G301DA10
, 5G301DA32
, 5G301DD01
