特許
J-GLOBAL ID：200903046811997655
半導体発光素子
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮園 博一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-030771
公開番号（公開出願番号）：特開2003-234545
出願日： 2002年02月07日
公開日（公表日）： 2003年08月22日
要約：
【要約】【課題】応答速度の低下や閾値電流密度の増加などの問題点を発生させることなく、ピエゾ効果による電子-正孔の再結合確率の低下を抑制することが可能な半導体発光素子を提供する。【解決手段】この半導体発光素子は、井戸層1aと障壁層1bとを含む量子井戸構造を有するSQW発光層(活性層)1を備え、井戸層1aのバンドギャップエネルギは、ピエゾ電界によるバンドの傾きを抑制するように、井戸層1aの厚み方向の中心に対して非対称に変化されている。
請求項（抜粋）：
井戸層と障壁層とを含む量子井戸構造を有する発光層を備え、前記井戸層は厚み方向に対してピエゾ電界を有し、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方のバンドギャップエネルギは、前記井戸層および前記障壁層の少なくとも一方の厚み方向の中心に対して非対称に変化されている、半導体発光素子。
IPC (3件)：
H01S 5/343 610
, H01L 21/205
, H01S 5/223
H01S 5/343 610
, H01L 21/205
, H01S 5/223
5F045AA04
, 5F045AB17
, 5F045DA55
, 5F045DA63
, 5F073AA11
, 5F073AA22
, 5F073AA73
, 5F073AA74
, 5F073CA07
, 5F073CB02
, 5F073CB05
, 5F073EA14
, 5F073EA23
, 5F073EA29
