特許

J-GLOBAL ID：200903046821704184

キャリアガスとしてヘリウムを用いた誘電性フィルムの形成方法および該フィルムを形成するための装置

発明者： エリー イー ,  ポール ジー ,  リ-チャン ジャ ,  フランシマール カンパーニャ ,  シャンカー ヴェンカタラナン ,  デナ トリビューラ ,  バン ニューエン
出願人/特許権者： アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外5名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-102588
公開番号（公開出願番号）：特開平10-064896
出願日： 1997年04月04日
公開日（公表日）： 1998年03月06日
要約：

【要約】 (修正有)【課題】 フィルム均一性、高い蒸着速度、優れた間隔閉塞/リフロー能力及びより平らな表面形態を有する誘電性層、たとえばホウリンケイ酸ガラス(BSPG)層を形成するための方法及び装置を提供する。【解決手段】 (a)ケイ素、酸素及びドーパント原子を含有する反応物質の反応から、該基板上にドープされた酸化ケイ素を含むフィルムを蒸着する工程、ここで、該蒸着工程は、キャリアガスとしてヘリウムを用い、そして該蒸着工程は、10〜760トルの圧力及び100〜750°Cの温度にて生じる、(b)工程(a)を用いてnの基板を処理する工程、及び(c)窒素キャリアガスを用いた処理の基板よりも少なくとも50%多い数である前記のnの基板上に、蓄積された蒸着フィルムの厚さを蒸着した後、反応炉を洗浄する工程を含む。

請求項（抜粋）：

基板上に誘電性フィルムを形成する方法であって、該方法が、ケイ素、酸素及び第一のドーパント原子を含有する処理ガスを反応槽中に導入すること、系においてキャリアガスとしてヘリウムを用いこと、そして洗浄と洗浄の間に、キャリアガスとして窒素を用いた処理よりもより多くの基板を処理すること、を含む誘電性フィルムの形成方法。

IPC (3件)：

H01L 21/316 ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31

FI (3件)：

H01L 21/316 H ,  C23C 16/42 ,  H01L 21/31 C

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 半導体薄膜法で使用される多くの液状前駆物質に対する気化シーケンス方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平7-177761   出願人：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド