特許
J-GLOBAL ID：200903046834481419
半導体装置及びその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
松山 允之 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-285254
公開番号（公開出願番号）：特開2003-092405
出願日： 2001年09月19日
公開日（公表日）： 2003年03月28日
要約：
【要約】【課題】 トレンチコンタクト技術を採用したトレンチゲート型MOSFETなどの半導体装置において、アバランシェ耐量を改善すると同時にオン抵抗を低減した半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。【解決手段】 第1導電型の半導体層(2)と、その表面付近に形成されたベース領域(3)と、その上に選択的に設けられたソース領域(4)と、トレンチ(T)と、前記トレンチの内壁に設けられたゲート絶縁層(7)及びゲート電極(6)と、前記ソース領域に接続されたソース電極(9)と、を備え、前記ソース領域は、前記ゲート絶縁層と接触した部分よりも前記ソース電極と接触した部分(4a)において不純物濃度が高く、且つ前記ベース領域と接触した部分よりも前記ソース電極と接触した部分(4a)において不純物濃度が高いことを特徴とする半導体装置を提供する。
請求項（抜粋）：
第1導電型の半導体層と、前記半導体層の表面付近に形成された第2導電型の半導体領域と、前記第2導電型の半導体領域の上に選択的に設けられた第1導電型の半導体領域と、前記第1導電型の半導体領域から前記第2の半導体領域を貫通して前記第1導電型の半導体層に至るトレンチと、前記トレンチの内壁に設けられた絶縁層と、前記トレンチにおける前記絶縁層の内側空間を充填する導電体と、前記第1導電型の半導体領域に接続された電極と、を備え、前記第1導電型の半導体領域は、前記電極との接続部において第1導電型の不純物の濃度が高い高濃度領域を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 29/78 653
, H01L 29/78 652
, H01L 29/78
H01L 29/78 653 A
, H01L 29/78 652 B
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 M
