半導体ウエハー等の表面処理方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：早川政名 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-206541
公開番号（公開出願番号）：特開平11-054466
出願日： 1997年07月31日
公開日（公表日）： 1999年02月26日
要約：

【要約】【課題】被処理媒体を一枚つづ処理する枚葉処理方式において、被処理媒体の表面全体に処理液を均一に供給しながら且つ所要の表面流速にて均一に接触流動させながら、しかも簡単な設備にて表面処理し得るようにした半導体ウエハー等の表面処理方法を提供することにある。【解決手段】略矩形状を呈する被処理媒体Wの一辺幅に相当する長さを有し、該被処理媒体Wの表面に薬液等の処理液Nを略糸状に吐出させる程度の口径を有する液吐出口1-1 を長さ方向に一定の間隔をおいて有する液噴射ノズル1を、略水平に置かれた被処理媒体Wの少なくとも一辺側上方に配し、液噴射ノズル1の各液吐出口1-1 から被処理媒体Wの表面に向けて所要の温度に加温せしめた前記処理液Nを略糸状に吐出させながら且つ該表面を所要の表面流速にて接触流動させながら表面処理を行うようにした事である。

請求項（抜粋）：

少なくとも略矩形状又は略円形状を呈する被処理媒体の一辺幅又は直径幅に相当する長さを有し、該被処理媒体の表面に向けて処理液を略糸状に吐出させる程度の口径の液吐出口を長さ方向に所要の間隔をおいて有する液噴射ノズルを、略水平に置かれた被処理媒体の少なくとも一辺側上方又は半円側上方に配し、この液噴射ノズルの各液吐出孔から被処理媒体の表面に向けて所要の温度に加温せしめた処理液を略糸状に吐出させながら且つ該表面を所要の表面流速にて接触流動させながら行うようにした事を特徴とする半導体ウエハー等の表面処理方法。

IPC (3件)：

H01L 21/304 341 , H01L 21/304 , H01L 21/306

FI (3件)：

H01L 21/304 341 N , H01L 21/304 341 M , H01L 21/306 J

引用特許：

審査官引用 (5件)

液体吐出装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-319378 出願人：大日本スクリーン製造株式会社
特開平4-313363
特開昭55-162379

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