特許

J-GLOBAL ID：200903046875224544

半導体ウエハの欠陥分類方法及びその装置

発明者： 森本 勉 ,  住江 伸吾 ,  後藤 有一郎 ,  高橋 英二 ,  神戸 章史 ,  岡本 啓
出願人/特許権者： 株式会社神戸製鋼所 ,  日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 ,  ケーティーアイ・セミコンダクター株式会社
代理人 (1件)： 本庄 武男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-261869
公開番号（公開出願番号）：特開平9-186208
出願日： 1996年10月02日
公開日（公表日）： 1997年07月15日
要約：

【要約】【課題】 半導体ウエハの高度な欠陥分類を行うことのできる方法及び装置。【解決手段】 本方法及び装置Aは,画像取り込み部2により取り込んだウエハ1の画像中の欠陥領域における配線部あるいは非配線部の輝度等を画像処理部3により抽出し,この輝度等に基づいてコンピュータ4により欠陥の種類を判別し,その結果を出力装置5により出力するように構成されており,従来例におけるような欠陥の形状判断に止まることなく,欠陥の生じたプロセスを特定するといったようなさらに高度な欠陥分類を行うことができる。

請求項（抜粋）：

半導体ウエハを撮像して得られた画像に基づいて該ウエハの欠陥を分類する方法において,上記画像中の欠陥領域における配線部及び/若しくは非配線部の輝度又は光強度を抽出し,上記抽出された輝度又は光強度に基づいて欠陥の種類を判別してなることを特徴とする半導体ウエハの欠陥分類方法。

IPC (3件)：

H01L 21/66 ,  G01B 11/30 ,  G01N 21/88

FI (5件)：

H01L 21/66 J ,  H01L 21/66 A ,  H01L 21/66 Z ,  G01B 11/30 D ,  G01N 21/88 E

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開平2-133883
  
• 画像検出装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-143937   出願人：株式会社ニコン
• 特開平2-071377
  
• 半導体製造方法及び製造ライン
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-210177   出願人：株式会社日立製作所
• 特開昭62-212506