特許

J-GLOBAL ID：200903046883258270

不揮発性半導体メモリおよびそれを内蔵した半導体集積回路

発明者： 品川 裕 ,  藤戸 正道 ,  鈴川 一文 ,  河合 洋造 ,  田中 利広 ,  矢田 直樹
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  株式会社日立超エル・エス・アイ・システムズ
代理人 (1件)： 大日方 富雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-252648
公開番号（公開出願番号）：特開2000-090675
出願日： 1998年09月07日
公開日（公表日）： 2000年03月31日
要約：

【要約】【課題】 フラッシュメモリにおけるベリファイ読出し動作は、記憶素子の微小なしきい値の変化をセンスアンプで検出するものであるため、センスアンプのノイズに対する感度が高く、記憶素子のしきい値がベリファイ電圧に近いあたりでは僅かなノイズで誤判定を起こしやすい。そのため、一旦書込み終了と判定されたビットであっても次のベリファイ動作のときに書込み未完了と判定されることがあり、その結果トータルの書込み回数が多くなって書込み所要時間が増大するという課題があった。【解決手段】 記憶素子のしきい値を印加する電圧を制御して変化させデータを記憶させるように構成された不揮発性半導体メモリもしくはそれを内蔵した半導体集積回路において、同一記憶素子に対する書込み電圧の印加回数に応じてベリファイの条件を緩くした電圧で読出しを行なって書込みの終了を判定するようにした。

請求項（抜粋）：

印加する電圧を制御して記憶素子のしきい値を変化させデータを記憶させるように構成された不揮発性半導体メモリにおいて、同一記憶素子に対する書込み電圧の印加回数に応じてベリファイの条件を緩くした電圧で読出しを行なって書込みの終了を判定するように構成されていることを特徴とする不揮発性半導体メモリ。

IPC (3件)：

G11C 16/02 ,  G11C 11/41 ,  G11C 16/06

FI (3件)：

G11C 17/00 611 A ,  G11C 11/40 ,  G11C 17/00 633 C

Fターム (14件)：

5B015HH02 ,  5B015JJ24 ,  5B015KA13 ,  5B015KB13 ,  5B015KB92 ,  5B015QQ16 ,  5B025AA03 ,  5B025AB01 ,  5B025AC01 ,  5B025AD04 ,  5B025AD05 ,  5B025AD06 ,  5B025AE01 ,  5B025AE05

引用特許：

出願人引用 (2件)

• 不揮発性半導体記憶装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-027670   出願人：三菱電機株式会社
• 特開平2-072454