特許

J-GLOBAL ID：200903046883401927

電界吸収型光変調器

発明者： 近藤 康洋 ,  近藤 進 ,  伊賀 龍三 ,  小笠原 松幸
出願人/特許権者： 日本電信電話株式会社
代理人 (1件)： 光石 俊郎 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-307082
公開番号（公開出願番号）：特開2003-114407
出願日： 2001年10月03日
公開日（公表日）： 2003年04月18日
要約：

【要約】【課題】 埋込層へのZn拡散をなくすことにより埋込層の容量を低減して高速動作を可能とする電界吸収型光変調器を提供することにある。【解決手段】 第1導電型基板上1に配された、少なくとも第1導電型クラッド層2と、光吸収層4と、第2導電型クラッド層6とからなる積層構造がメサストライプ状に加工されており、該積層構造の両側を半絶縁半導体層9で埋め込んだ構造を有する電界吸収型光変調器において、前記半絶縁半導体層9のドーパントがルテニウムであることを特徴とする。

請求項（抜粋）：

第1導電型基板上に配された、少なくとも第1導電型クラッド層と、光吸収層と、第2導電型クラッド層とからなる積層構造がメサストライプ状に加工されており、該積層構造の両側を半絶縁半導体層で埋め込んだ構造を有する電界吸収型光変調器において、前記半絶縁半導体層のドーパントがルテニウムであることを特徴とする電界吸収型光変調器。

IPC (5件)：

G02F 1/017 503 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

FI (5件)：

G02F 1/017 503 ,  H01S 5/026 616 ,  H01S 5/12 ,  H01S 5/227 ,  H01S 5/343

Fターム (16件)：

2H079AA02 ,  2H079AA13 ,  2H079BA01 ,  2H079DA16 ,  2H079EA07 ,  2H079EB04 ,  2H079HA14 ,  2H079HA15 ,  2H079KA18 ,  5F073AA22 ,  5F073AA65 ,  5F073AA74 ,  5F073AB21 ,  5F073CA15 ,  5F073DA05 ,  5F073EA14

引用特許：

出願人引用 (4件)

• 光半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050219   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置、半導体発光装置、半導体レーザ装置、光モジュールおよび光システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357833   出願人：株式会社日立製作所
• 半導体光素子及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-249852   出願人：日本電信電話株式会社
• 化合物半導体及び半導体光素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2001-119443   出願人：日本電信電話株式会社

審査官引用 (2件)

• 光半導体装置およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-050219   出願人：株式会社東芝
• 半導体装置、半導体発光装置、半導体レーザ装置、光モジュールおよび光システム
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-357833   出願人：株式会社日立製作所

引用文献：

出願人引用 (1件)

• 11th International Conference on Indium Phosphide and Related Materials, 1999, 203-206