特許

J-GLOBAL ID：200903046900208664

窒化ガリウム系化合物半導体気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法

発明者： 堀 健次
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2008-010733
公開番号（公開出願番号）：特開2009-173463
出願日： 2008年01月21日
公開日（公表日）： 2009年08月06日
要約：

【課題】 HClガスの流量を増やしても、Ga融液との反応時間を長くしてGaClガスの流量を増加させることができる窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置及び窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長方法を提供すること。 【解決手段】 窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置は、窒化ガリウム系化合物半導体層を基板8の表面に成長させるための気相成長室7と、複数のGa融液槽6を有するGa融液貯留装置16と、複数のGa融液槽6の内部雰囲気空間をHClガスが順次流通するようにHClガスを供給するHClガス供給管1と、Ga融液5とHClガスとの反応により生じたGaClガスを気相成長室7内に供給するGaClガス供給管4と、を具備する。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

窒化ガリウム系化合物半導体層を基板の表面に成長させるための気相成長室と、複数のGa融液槽を有するGa融液貯留装置と、複数の前記Ga融液槽の内部雰囲気空間をHClガスが順次流通するようにHClガスを供給するHClガス供給管と、Ga融液とHClガスとの反応により生じたGaClガスを前記Ga融液貯留装置から前記気相成長室内に供給するGaClガス供給管と、を具備する窒化ガリウム系化合物半導体の気相成長装置。

IPC (5件)：

C30B 29/38 ,  C30B 25/14 ,  C23C 16/34 ,  C23C 16/448 ,  C23C 16/01

FI (5件)：

C30B29/38 D ,  C30B25/14 ,  C23C16/34 ,  C23C16/448 ,  C23C16/01

Fターム (25件)：

4G077AA03 ,  4G077BE15 ,  4G077DB05 ,  4G077DB12 ,  4G077EG22 ,  4G077EG25 ,  4G077HA12 ,  4G077TA04 ,  4G077TA11 ,  4G077TB04 ,  4G077TC01 ,  4G077TH06 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA18 ,  4K030BA08 ,  4K030BB02 ,  4K030BB13 ,  4K030CA04 ,  4K030CA05 ,  4K030DA02 ,  4K030EA01 ,  4K030FA10 ,  4K030JA10 ,  4K030LA12

引用特許：

出願人引用 (1件)

• III族窒化物半導体基板およびその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-064345   出願人：日本電気株式会社, 日立電線株式会社