特許
J-GLOBAL ID：200903060834837615
III族窒化物半導体基板およびその製造方法
発明者：
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出願人/特許権者：
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代理人 (1件)：
速水 進治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-064345
公開番号（公開出願番号）：特開2003-178984
出願日： 2002年03月08日
公開日（公表日）： 2003年06月27日
要約：
【要約】【課題】 欠陥密度が低く、かつ反りの少ないIII族窒化物半導体基板を提供すること。【解決手段】 サファイアC面((0001)面)基板1上にGaN層2を形成した後、その上にチタン膜3を形成する。次いで水素ガスまたは水素含有化合物ガスを含む雰囲気中で基板を熱処理してGaN層2中に空隙を形成する。その後、GaN層2上にGaN層4を形成する。
請求項（抜粋）：
基材上に第一のIII族窒化物半導体層が設けられた下地基板または第一のIII族窒化物半導体層からなる下地基板を熱処理することにより、前記第一のIII族窒化物半導体層中に空隙を形成する工程と、前記第一のIII族窒化物半導体層の上部に第二のIII族窒化物半導体層を形成する工程と、を含むことを特徴とするIII族窒化物半導体基板の製造方法。
Fターム (15件)：
5F045AA04
, 5F045AB14
, 5F045AB17
, 5F045AB18
, 5F045AB40
, 5F045AC08
, 5F045AC12
, 5F045AC15
, 5F045AC16
, 5F045AF09
, 5F045BB11
, 5F045CA11
, 5F045CA12
, 5F045DA61
, 5F045HA16
