特許
J-GLOBAL ID：200903046909459074
シリコン膜の形成方法
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
寺田 實
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-054004
公開番号（公開出願番号）：特開平7-267621
出願日： 1994年03月24日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：
【要約】【目的】 CVD法による気相からの堆積法を用いず、塗布法で基体上にシリコン膜を形成する方法の提供。【構成】 液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させることにより塗布膜内で分解反応させるシリコン膜の形成方法、及び液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、原子状の水素を基体上に導入しながら、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させることにより塗布膜内で分解反応させるシリコン膜の形成方法。
請求項（抜粋）：
水素化珪素を用いて熱分解により基体上にシリコン膜を形成する方法において、Sim H2m+2あるいはSin H2n(ただし、m、nはm≧5、n≧4であるような整数)を含有する液体状の水素化珪素を基体上に塗布した後、昇温し、昇温過程を含む熱履歴を経させて塗布膜内で分解反応させ、該基体上にシリコン膜を形成させることを特徴とするシリコン膜の形成方法。
IPC (2件)：
引用特許：
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