特許
J-GLOBAL ID:200903046926305625

化合物超電導線、その製造方法及びその製造装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 宮田 金雄 (外1名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-303575
公開番号(公開出願番号):特開2001-126554
出願日: 1999年10月26日
公開日(公表日): 2001年05月11日
要約:
【要約】【課題】 化合物超電導裸線に良好な絶縁被覆を施した化合物超電導線を得る。【解決手段】 化合物超電導線の製造方法は、線引き後所定の熱処理を行い、その線材をエナメル被覆した後、所定のコイル形状に巻線し、必要があればエポキシ含浸を施し完成するものである。
請求項(抜粋):
化合物超電導相が形成された化合物超電導裸線にエナメルが被覆された化合物超電導線であって、上記化合物超電導裸線は、断面の最小幅に対する最大幅の比が2以下であることを特徴とする化合物超電導線。
IPC (3件):
H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 ,  H01F 6/06 ZAA
FI (3件):
H01B 12/06 ZAA ,  H01B 13/00 565 F ,  H01F 5/08 ZAA B
Fターム (3件):
5G321AA11 ,  5G321BA03 ,  5G321CA48
引用特許:
審査官引用 (1件)

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