特許

J-GLOBAL ID：200903046932245740

半導体素子及びその製造方法

発明者： キム, チャン-ジョン ,  ソン, イ-ホン ,  カン, ドン-フン ,  パク, ヨン-スウ
出願人/特許権者： サムスン エレクトロニクス カンパニー リミテッド
代理人 (1件)： 特許業務法人共生国際特許事務所
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2009-506414
公開番号（公開出願番号）：特表2009-533884
出願日： 2007年04月17日
公開日（公表日）： 2009年09月17日
要約：

下記の化学式1で表示される複合体を活性層に含む半導体素子に係り、亜鉛酸化物に複合化されるガリウム酸化物及びインジウム酸化物の含有量を調節することによって光感度特性を改善し、ディスプレイのスイッチング特性及び駆動トランジットの駆動特性が改良される。 (化1) x(Ga2O3)・y(In2O3)・z(ZnO)・・・化学式1 (ただし式中、x、y、zは、0.75≦x/z≦3.15、0.55≦y/z≦1.70である。)【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

基板と、 前記基板上に下記の化学式1で表示される複合体を含む活性層と、 前記活性層に電気的に接続されるソース電極及びドレイン電極と、 前記活性層に形成されるゲート電極と、 前記ゲート電極と活性層との間に介在するゲート絶縁層とを有することを特徴とする半導体素子。 (化1) x(Ga2O3)・y(In2O3)・z(ZnO)・・・化学式1 (ただし式中、x、y、zは、 0.75≦x/z≦3.15であり、0.55≦y/z≦1.70である。)

IPC (2件)：

H01L 29/786 ,  C01G 15/00

FI (6件)：

H01L29/78 618B ,  H01L29/78 616V ,  H01L29/78 616U ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617M ,  C01G15/00 Z

Fターム (32件)：

5F110AA26 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110CC07 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE06 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF02 ,  5F110FF03 ,  5F110FF29 ,  5F110FF30 ,  5F110GG01 ,  5F110GG07 ,  5F110GG15 ,  5F110GG42 ,  5F110GG44 ,  5F110HK02 ,  5F110HK03 ,  5F110HK04 ,  5F110HK06 ,  5F110HK07 ,  5F110HK08 ,  5F110HK21 ,  5F110HK32 ,  5F110HK34 ,  5F110HK42

引用特許：

審査官引用 (2件)

• n型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2002-103409   出願人：クワンジュインスティチュートオブサイエンスアンドテクノロジー
• 複合金属酸化物を含むチャネルを有する半導体デバイス
  公報種別：公表公報   出願番号：特願2007-502848   出願人：ヒューレット-パッカードデベロップメントカンパニーエル.ピー.