n型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極及びその製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)： ▲吉▼川俊雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-103409
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017749
出願日： 2002年04月05日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】高温の融点を有する金属で高温でも安定した高品位オーミックコンタクトを形成させた、n型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオードに使用される金属電極及びその製造方法を提供する。【解決手段】本発明によるn型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極は、1,500°C〜3,500°Cの融点を有する遷移金属または該遷移金属から選ばれた少なくともいずれか1種を含む合金からなるか、またはInまたはIn化合物からなることを特徴とする。本発明のn型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極によると、高温でも低い非接触抵抗及び平坦な金属電極の表面を維持することで酸化亜鉛系半導体の発光素子及びレーザーダイオードの開発に利用することができ、高温で安定した酸化物層を伝導層及び拡散障壁として利用することにより、発光ダイオードの製作の際の付加的な工程を省くことができるため、酸化亜鉛系半導体の商業化を加速させるものと期待される。

請求項（抜粋）：

1,500°C〜3,500°Cの融点を有する遷移金属または該遷移金属から選ばれた少なくともいずれか1種を含む合金からなることを特徴とするn型酸化亜鉛系半導体を用いた発光ダイオード用金属電極。

IPC (3件)：

H01L 33/00 , H01L 21/28 301 , H01L 21/285

FI (5件)：

H01L 33/00 E , H01L 33/00 D , H01L 21/28 301 B , H01L 21/285 P , H01L 21/285 S

Fターム (24件)：

4M104AA03 , 4M104BB04 , 4M104BB06 , 4M104BB07 , 4M104BB13 , 4M104BB16 , 4M104BB17 , 4M104BB18 , 4M104CC01 , 4M104DD34 , 4M104DD37 , 4M104DD68 , 4M104DD79 , 4M104DD80 , 4M104GG04 , 4M104HH05 , 5F041AA21 , 5F041AA42 , 5F041CA41 , 5F041CA83 , 5F041CA84 , 5F041CA98 , 5F041CA99 , 5F041FF01

引用特許：

審査官引用 (5件)

特開昭54-104295
光電変換機能素子用基板の製造方法および光電変換機能素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-286567 出願人：株式会社ジャパンエナジー
光電変換機能素子
公報種別：公開公報出願番号：特願平11-029150 出願人：株式会社ジャパンエナジー

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