半導体装置及びその製造方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：柏谷昭司 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-331383
公開番号（公開出願番号）：特開平11-162996
出願日： 1997年12月02日
公開日（公表日）： 1999年06月18日
要約：

【要約】【課題】半導体装置及びその製造方法に関し、Al系電極に対するコンタクト抵抗の増加を抑え、Au系電極に対してはボンディング強度を保ち、且つ、エッチング残渣の発生を防止する。【解決手段】 Al系電極2及びAu系電極3の両者に対して、Alとの反応を抑止する金属層4,5,6及び導電性バリア層7を含むAu系配線層9を設けると共に、Al系電極2と導電性バリア層7との間に設けるAlとの反応を抑止する金属層4,5の厚さを、Au系電極3と導電性バリア層7との間に設けるAlとの反応を抑止する金属層6の厚さより厚くする。

請求項（抜粋）：

Alを主たる構成要素とするAl系電極とAuを主たる構成要素とするAu系電極とを有する半導体装置において、前記Al系電極及びAu系電極の両者に対して、Alとの反応を抑止する金属層及び導電性バリア層を含むAu系配線層を設けると共に、前記Al系電極と導電性バリア層との間に設けるAlとの反応を抑止する金属層の厚さが、前記Au系電極と導電性バリア層との間に設けるAlとの反応を抑止する金属層の厚さより厚いことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/338 , H01L 29/812 , H01L 29/43

FI (3件)：

H01L 29/80 F , H01L 29/46 L , H01L 29/46 G

引用特許：

出願人引用 (4件)

特開平2-150064
特開昭63-053953
半導体素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-220464 出願人：株式会社日立製作所

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審査官引用 (2件)

特開平2-150064
特開昭63-053953

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