特許

J-GLOBAL ID：200903046947193142

半導体装置及びその製造方法

発明者： 綿谷 宏文
出願人/特許権者： 富士通株式会社
代理人 (1件)： 伊東 忠彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-292515
公開番号（公開出願番号）：特開2000-124306
出願日： 1998年10月14日
公開日（公表日）： 2000年04月28日
要約：

【要約】【課題】 Cu配線を有機層間絶縁膜上に形成する工程を実現し、配線遅延の影響を低減する。【解決手段】 多層有機層間絶縁膜の最上層に有機層間絶縁膜78を形成し、有機層間絶縁膜78上に第1のエッチングストッパ膜80を形成し、第1のエッチングストッパ膜80上に、第1のエッチングストッパ膜80とは異なる第2のエッチングストッパ膜82を形成することにより、配線溝91とコンタクトホール89とを同時に形成することを可能とする。

請求項（抜粋）：

基板上に第1の層間絶縁膜を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜上に第2の、有機層間絶縁膜を形成する工程と、前記第2の層間絶縁膜上に第1のエッチングストッパ膜を形成する工程と、前記第1のエッチングストッパ膜上に、前記第1のエッチングストッパ膜とは異なる第2のエッチングストッパ膜を形成する工程とを有し、さらに前記第2のエッチングストッパ膜上に第1の開口部を、前記第1のエッチングストッパ膜が露出するように形成する工程と、前記露出した第1のエッチングストッパ膜中に、第2の開口部を形成する工程と、前記第1のエッチングストッパ膜をマスクとして、前記第2の層間絶縁膜をエッチングして前記第2の開口部に対応した第3の開口部を前記第2の層間絶縁膜中に形成する工程と、前記第2のエッチングストッパ膜をマスクとして前記第2の層間絶縁膜をエッチングし、前記第2の層間絶縁膜中に前記第1の開口部に対応した配線溝を形成する工程と、前記第1の層間絶縁膜中に、前記第3の開口部に対応したコンタクトホールを形成する工程と、さらに前記コンタクトホールと前記配線溝とを導体によって埋める工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

Fターム (26件)：

5F033HH11 ,  5F033JJ01 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK11 ,  5F033MM02 ,  5F033PP06 ,  5F033PP15 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ09 ,  5F033QQ10 ,  5F033QQ12 ,  5F033QQ21 ,  5F033QQ25 ,  5F033QQ28 ,  5F033QQ30 ,  5F033QQ39 ,  5F033QQ48 ,  5F033QQ75 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR25 ,  5F033SS15 ,  5F033SS21 ,  5F033TT04 ,  5F033XX15 ,  5F033XX27

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 配線構造体の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-075519   出願人：松下電器産業株式会社
• 特許第3501280号