特許
J-GLOBAL ID：200903007772613644

配線構造体の形成方法

発明者：
青井 信雄

青井 信雄 について


出願人/特許権者：
松下電器産業株式会社

松下電器産業株式会社 について


代理人 (1件)： 前田 弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-075519
公開番号（公開出願番号）：特開2000-003913
出願日： 1999年03月19日
公開日（公表日）： 2000年01月07日
要約：
【要約】【課題】 通常のレジストプロセスを採用して、比誘電率が低い層間絶縁膜を形成できるようにする。【解決手段】 半導体基板100上の第1の金属配線101の上に、シリコン窒化膜102、第1の有機膜103、有機含有シリコン酸化膜104、第2の有機膜105及び窒化チタン膜106を順次堆積した後、窒化チタン膜106の上に形成された第1のレジストパターン107をマスクとして窒化チタン膜106に対してエッチングを行なってマスクパターン108を形成し、その後、第2の有機膜105の上に第2のレジストパターン109を形成する。第2の有機膜105に対して第2のレジストマスク109をマスクとしてエッチングを行なって、第2の有機膜105をパターン化すると共に第1及び第2のレジストパターン107、109を除去する。第2の有機膜105に対してマスクパターン108をマスクとしてエッチングして配線溝を形成すると共に、第1の有機膜103に対してパターン化された有機含有シリコン酸化膜104をマスクとしてエッチングしてコンタクトホールを形成する。
請求項（抜粋）：
下層の金属配線の上に第1の絶縁膜を形成する第1の工程と、前記第1の絶縁膜の上に該第1の絶縁膜と組成が異なる第2の絶縁膜を形成する第2の工程と、前記第2の絶縁膜の上に該第2の絶縁膜と組成が異なる第3の絶縁膜を形成する第3の工程と、前記第3の絶縁膜の上に薄膜を形成する第4の工程と、前記薄膜の上に、配線形成用開口部を有する第1のレジストパターンを形成する第5の工程と、前記薄膜に対して前記第1のレジストパターンをマスクとしてエッチングを行なって、前記薄膜からなり配線形成用開口部を有するマスクパターンを形成する第6の工程と、前記第3の絶縁膜の上に、コンタクトホール形成用開口部を有する第2のレジストパターンを形成する第7の工程と、前記第3の絶縁膜、第1のレジストパターン及び第2のレジストパターンに対するエッチングレートが高い一方、前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、前記第3の絶縁膜に対してドライエッチングを行なうことにより、前記第3の絶縁膜を該第3の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化すると共に、前記第1のレジストパターン及び第2のレジストパターンを全面的に又は下部を残して除去する第8の工程と、前記第2の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前記第1の絶縁膜及び第3の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、前記第2の絶縁膜に対してパターン化された前記第3の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第2の絶縁膜を該第2の絶縁膜にコンタクトホール形成用開口部が形成されるようにパターン化する第9の工程と、前記第1の絶縁膜及び第3の絶縁膜に対するエッチングレートが高い一方、前記マスクパターン及び第2の絶縁膜に対するエッチングレートが低いエッチング条件で、前記第3の絶縁膜に対して前記マスクパターンをマスクとしてドライエッチングを行なうと共に前記第1の絶縁膜に対してパターン化された前記第2の絶縁膜をマスクとしてドライエッチングを行なうことにより、前記第3の絶縁膜に配線溝を形成すると共に前記第1の絶縁膜にコンタクトホールを形成する第10の工程と、前記配線溝及びコンタクトホールに金属膜を充填することにより、上層の金属配線及び前記下層の金属配線と前記上層の金属配線とを接続するコンタクトを形成する第11の工程とを備えていることを特徴とする配線構造体の形成方法。
IPC (3件)：
H01L 21/3205 ,  H01L 21/312 ,  H01L 21/768
FI (3件)：
H01L 21/88 K ,  H01L 21/312 N ,  H01L 21/90 S
引用特許：
審査官引用 (4件)
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