特許
J-GLOBAL ID：200903046978009250
はんだ膜およびその形成方法、並びにそのはんだ膜を有する樹脂封止型半導体装置およびその製造に用いられるはんだ膜改質装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
宮田 金雄 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-119582
公開番号（公開出願番号）：特開平10-313086
出願日： 1997年05月09日
公開日（公表日）： 1998年11月24日
要約：
【要約】【課題】 はんだ膜の破断強度を高めることにより、リード加工時のはんだ屑の発生を低減する。【解決手段】 錫が主成分の金属粒子11の粒界近傍に錫-鉛合金13を分散させたはんだ膜。錫と鉛を主成分とする膜に、不活性ガス雰囲気で205〜210°Cで1分間の熱処理を施すはんだ膜の形成方法。半導体チップを搭載して樹脂封止したリードフレームの樹脂体より導出した外部リードの表面に、錫が主成分の金属粒子の粒界近傍に錫-鉛合金を分散させたはんだ膜を備えた樹脂封止型半導体装置。半導体装置の外部リード部分を両側から挟み込んで加熱する機構を備えたはんだ膜改質装置。半導体装置を搬送する機構と、加熱した不活性ガスを上記半導体装置の外部リードに吹き付ける機構とを備えたはんだ膜改質装置。
請求項（抜粋）：
錫が主成分の金属粒子の粒界近傍に錫-鉛合金を分散させたことを特徴とするはんだ膜。
IPC (4件)：
H01L 23/50
, C25D 5/50
, C25D 7/00
, C25D 7/12
H01L 23/50 D
, C25D 5/50
, C25D 7/00 J
, C25D 7/12
