特許
J-GLOBAL ID:200903046997067334
有機EL素子
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (4件):
長谷川 芳樹
, 黒木 義樹
, 三上 敬史
, 石坂 泰紀
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願2009-198664
公開番号(公開出願番号):特開2009-278147
出願日: 2009年08月28日
公開日(公表日): 2009年11月26日
要約:
【課題】十分に高い発光効率及び寿命を達成できる有機EL素子を提供すること。【解決手段】基板10と、基板10の一側に互いに対向するように配置された第1の電極層12及び第2の電極層18と、これらの電極層間に配置された発光層20と、を備える有機EL素子において、第1の電極層12及び第2の電極層18の一方がホール注入電極層、他方が電子注入電極層であり、発光層20と電子注入電極層との間に有機薄膜層30が形成され、発光層20中に、電子注入電極層側に偏倚して改質部16が形成され、有機薄膜層30及び改質部16は、発光層20を構成する有機化合物とは異なる、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物を含み、有機薄膜層30と改質部16との合計膜厚は0.1nm〜5nmであることを特徴とする有機EL素子。【選択図】図11
請求項(抜粋):
基板と、基板の一側に互いに対向するように配置された第1の電極層及び第2の電極層と、これらの電極層間に配置された発光層と、を備える有機EL素子において、
前記第1の電極層及び前記第2の電極層の一方がホール注入電極層、他方が電子注入電極層であり、
前記発光層と前記電子注入電極層との間に有機薄膜層が形成され、
前記発光層中に、前記電子注入電極層側に偏倚して改質部が形成され、
前記有機薄膜層及び前記改質部は、前記発光層を構成する有機化合物とは異なる、エネルギーギャップ3.5eV以上の有機高分子化合物を含み、
前記有機薄膜層と前記改質部との合計膜厚は0.1nm〜5nmであることを特徴とする有機EL素子。
IPC (1件):
FI (2件):
H05B33/14 B
, H05B33/22 B
Fターム (12件):
3K107AA01
, 3K107BB01
, 3K107CC04
, 3K107CC21
, 3K107CC27
, 3K107DD53
, 3K107DD58
, 3K107DD60
, 3K107DD74
, 3K107DD78
, 3K107FF18
, 3K107FF19
引用特許:
出願人引用 (11件)
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審査官引用 (12件)
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