特許
J-GLOBAL ID：200903047006355317
無電解スズ及びスズ合金メッキ浴、当該無電解メッキ方法、並びに当該無電解メッキ浴でスズ又はスズ合金皮膜を形成した電子部品
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
豊永 博隆
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-241968
公開番号（公開出願番号）：特開平11-061426
出願日： 1997年08月22日
公開日（公表日）： 1999年03月05日
要約：
【要約】【課題】 デンドライトの生長を確実に抑制して、整膜性に優れたスズ又はスズ合金メッキ皮膜を付与できる無電解浴を開発する。【解決手段】 (A)第一スズ塩と、第一スズ塩及びビスマス、インジウム、アンチモン、亜鉛、コバルト、ニッケル、銀、銅、鉛から選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩、(B)有機スルホン酸などの酸、(C)錯化剤、(D)リン化合物よりなるデンドライト抑制剤を含有する無電解スズ及びスズ合金メッキ浴である。上記リン化合物の添加により、メッキ皮膜があらゆる方向に結晶成長するのを促進するため、スズ又はスズ合金メッキ皮膜にデンドライトが発生するのを有効に抑制できる。このため、メッキ皮膜の整膜性が改善され、皮膜の接合強度を良好に向上できる。
請求項（抜粋）：
(A)第一スズ塩と、第一スズ塩及びビスマス、インジウム、アンチモン、亜鉛、コバルト、ニッケル、銀、銅、鉛から成る群より選ばれた金属の塩の混合物とのいずれかよりなる可溶性塩、(B)有機スルホン酸、カルボン酸などの有機酸、或は塩酸、硫酸、ホウフッ化水素酸などの無機酸から選ばれた少なくとも一種の酸、(C)錯化剤、(D)リン化合物よりなるデンドライト抑制剤を含有することを特徴とする無電解スズ及びスズ合金メッキ浴。
IPC (4件)：
C23C 18/48
, C23C 18/52
, H01L 21/60 311
, H05K 3/24
C23C 18/48
, C23C 18/52 Z
, H01L 21/60 311 W
, H05K 3/24 B
