半導体装置の製造方法

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (2件)：高田守 , 高橋英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-033020
公開番号（公開出願番号）：特開2006-222208
出願日： 2005年02月09日
公開日（公表日）： 2006年08月24日
要約：

【課題】コンタクトホールがボーイング形状となるのを防止し、かつコンタクトホールの下部の開口径を大きくすることができる半導体装置の製造方法を得る。【解決手段】絶縁膜を所定深さまでドライエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、コンタクトホールの側壁に側壁保護膜を形成する工程と、側壁保護膜をマスクとしてコンタクトホールの底部から絶縁膜をドライエッチングしてコンタクトホールを更に掘り込む工程と、側壁保護膜をマスクとしてコンタクトホールの下部の側面にある絶縁膜をウェットエッチングすることにより、コンタクトホールの下部と上部の境界において、下部の開口径を上部の開口径以上にする工程とを有する。【選択図】図2

請求項（抜粋）：

絶縁膜を所定深さまでドライエッチングしてコンタクトホールを形成する工程と、前記コンタクトホールの側壁に側壁保護膜を形成する工程と、前記側壁保護膜をマスクとして前記コンタクトホールの底部から前記絶縁膜をドライエッチングして前記コンタクトホールを更に掘り込む工程と、前記側壁保護膜をマスクとして前記コンタクトホールの下部の側面にある前記絶縁膜をウェットエッチングすることにより、前記コンタクトホールの下部と上部の境界において、下部の開口径を上部の開口径以上にする工程とを有することを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (5件)：

H01L 21/768 , H01L 21/28 , H01L 29/417 , H01L 21/824 , H01L 27/108

FI (4件)：

H01L21/90 A , H01L21/28 301A , H01L29/50 M , H01L27/10 621C

Fターム (45件)：

4M104AA01 , 4M104BB01 , 4M104CC01 , 5F033HH08 , 5F033HH19 , 5F033JJ04 , 5F033JJ19 , 5F033JJ23 , 5F033JJ33 , 5F033KK01 , 5F033KK08 , 5F033KK19 , 5F033NN06 , 5F033NN07 , 5F033NN30 , 5F033QQ08 , 5F033QQ09 , 5F033QQ11 , 5F033QQ19 , 5F033QQ21 , 5F033QQ22 , 5F033QQ27 , 5F033QQ35 , 5F033QQ37 , 5F033RR04 , 5F033SS15 , 5F033TT02 , 5F033XX00 , 5F033XX04 , 5F083AD24 , 5F083AD31 , 5F083GA02 , 5F083GA27 , 5F083JA36 , 5F083JA39 , 5F083JA40 , 5F083MA06 , 5F083MA16 , 5F083MA17 , 5F083MA19 , 5F083PR03 , 5F083PR05 , 5F083PR06 , 5F083PR07 , 5F083PR40

引用特許：

出願人引用 (1件)

半導体装置の製造方法及び半導体装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-282371 出願人：沖電気工業株式会社

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