特許

J-GLOBAL ID：200903047011668749

エッチング剤及び電子装置の製造方法

発明者： 関 斎 ,  福井 洋文 ,  宮澤 聡 ,  岩崎 千里 ,  笠間 泰彦 ,  大見 忠弘 ,  前野 又五郎 ,  菊山 裕久 ,  高野 順 ,  宮下 雅之 ,  薮根 辰弘
出願人/特許権者： 株式会社フロンテック ,  橋本化成株式会社 ,  大見 忠弘
代理人 (1件)： 福森 久夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-063789
公開番号（公開出願番号）：特開平7-268657
出願日： 1994年03月31日
公開日（公表日）： 1995年10月17日
要約：

【要約】【目的】 本発明は、導電体層及び半導体層等からなる多層構造の微細パターンを1種の液で連続して形成できるエッチング剤を提供することを目的とする。さらに、製造工程を短縮化して、且つ高い歩留まりで電子装置を製造できる電子装置の製造方法を提供することを目的とする。【構成】 本発明のエッチング剤は、溶液中に、フッ化水素酸及び一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4、または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンをそれぞれ0.05〜0.5mol/l及び0.02mol/l以上、含むことを特徴とする。また、溶液中に、フッ化水素酸と、一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4、または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンと、ハロゲン析出抑制剤と、を含むことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

溶液中に、フッ化水素酸及び一般式(XOn)p-(但し、Xはハロゲン元素、nは3、4または6、pは1、2または3)で示されるハロオキソ酸イオンをそれぞれ0.05〜0.5mol/l及び0.01mol/l以上、含むことを特徴とするエッチング剤。

IPC (4件)：

C23F 1/16 ,  H01L 21/308 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336

引用特許：

審査官引用 (1件)

• エッチング剤,部材表面のエッチング処理方法,電子部品の製造方法,洗浄剤、部材の洗浄処理方法,器具の洗浄処理方法および機器の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-285338   出願人：アルプス電気株式会社