特許
J-GLOBAL ID：200903047049257483

磁気抵抗効果素子並びにそれを用いた磁気抵抗効果センサ及び磁気抵抗検出システム

発明者：
林 一彦

林 一彦 について


出願人/特許権者：
日本電気株式会社

日本電気株式会社 について


代理人 (1件)： 松浦 兼行
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-064265
公開番号（公開出願番号）：特開平10-261824
出願日： 1997年03月18日
公開日（公表日）： 1998年09月29日
要約：
【要約】【課題】 従来は、素子にセンス電流を流した場合に、局所的な電流加熱効果により反強磁性膜が下地層から剥離し、素子の破壊が生じる。【解決手段】 下地層100上に付着層101、反強磁性層102、固定磁性層103、非磁性層105、自由磁性層107及び保護層108を順次積層した構造である。付着層101として、Ta、Ta酸化物、Ti、Ti酸化物、Cr、Cr酸化物、V、Fe、Co、Ni、Zr、Nb、Mo、Hf、Wの単層膜、多層膜、混合物、及び混合物の多層膜を用いることができる。付着層101により下地層100のアルミナ又はSiO2と、反強磁性層102であるNi酸化物、Co酸化物又はFe酸化物との間に挿入することにより、アルミナ及びSiO2とNi酸化物、Co酸化物、及びFe酸化物との間の付着力が、付着層101を挿入しないときに比し向上する。
請求項（抜粋）：
下地層上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性層及び自由磁性層が順次に積層された磁気抵抗効果素子において、Ni酸化物,Co酸化物又はFe酸化物を主要元素とする単層膜、多層膜、又はこれらの混合物による前記反強磁性層と前記下地層との間に、通電時の剥離防止用の付着層を設けたことを特徴とする磁気抵抗効果素子。
IPC (4件)：
H01L 43/08 ,  G01R 33/09 ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16
FI (4件)：
H01L 43/08 Z ,  G11B 5/39 ,  H01F 10/16 ,  G01R 33/06 R
引用特許：
審査官引用 (4件)
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