特許

J-GLOBAL ID：200903047053415280

フォトレジスト単量体、フォトレジスト共重合体、フォトレジスト共重合体の製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ン形成方法、及び半導体素子

発明者： 鄭 ▲みん▼鎬 ,  鄭 載昌 ,  李 根守 ,  白 基鎬
出願人/特許権者： 現代電子産業株式会社
代理人 (1件)： 荒船 博司 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-212840
公開番号（公開出願番号）：特開2000-086725
出願日： 1999年07月27日
公開日（公表日）： 2000年03月28日
要約：

【要約】【課題】 良好な耐エッチング性及び接着性を有し、2.38wt%TMAH水溶液において現像可能であるとともに、高感度を有するフォトレジストに適したフォトレジスト共重合体を提供することを目的としている。【解決手段】 前記式(100)で、R1及びR2はそれぞれ-COOHまたは-R-COOH、Rは置換または非置換された炭素数1〜10のアルキル、R3は-COOR*または-R'-COOR*、R*は酸に敏感な保護基、R'は置換または非置換された炭素数1〜10のアルキル、R4はR3と同様に-COOR*または-R'-COOR*(R*、R'はR3と同じ)であるかHであり、R5は置換または非置換された炭素数1〜10のアルキルである。【化1】

請求項（抜粋）：

下記式(2)で表されることを特徴とするフォトレジスト単量体。【化1】前記式(2)で、R1及びR2はそれぞれ-COOHまたは-R-COOHであり、Rは置換または非置換された炭素数1〜10のアルキルである。

IPC (6件)：

C08F 32/00 ,  C07C 61/29 ,  C08F 20/20 ,  C08F 22/06 ,  G03F 7/004 503 ,  G03F 7/039 601

FI (6件)：

C08F 32/00 ,  C07C 61/29 ,  C08F 20/20 ,  C08F 22/06 ,  G03F 7/004 503 A ,  G03F 7/039 601

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 化学増幅型のレジスト組成物
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-094644   出願人：三星電子株式会社