特許

J-GLOBAL ID：200903047069343785

テンプレート型基板及びその製造方法

発明者： ロベルト・ドヴィリニスキ ,  ロマン・ドラジニスキ ,  イエジ・ガルチニスキ ,  レシェック・シェシュプトフスキ ,  神原 康雄
出願人/特許権者： アンモノ・スプウカ・ジ・オグラニチョノン・オドポヴィエドニアウノシツィオン ,  日亜化学工業株式会社
代理人 (4件)： 河宮 治 ,  石井 久夫 ,  竹内 三喜夫 ,  田村 啓
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2004-558482
公開番号（公開出願番号）：特表2006-509709
出願日： 2003年12月11日
公開日（公表日）： 2006年03月23日
要約：

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板は、A)アルカリ金属(I族元素、IUPAC 1989)の少なくとも1種を含有する窒化物バルク単結晶層、及びB)気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層A)及びB)は層A)の非N極性面及び層B)のN極性面で結合する。ゆえに、形成したテンプレート型基板は良好な欠陥密度を有し、(0002)面からのX線ロッキングカーブの半値幅が80以下という良好な値であり、形成した基板は、MOCVD、MBEおよびHVPEといった気相から形成するエピタキシ基板に非常に有用であり、レーザダイオードや高出力LEDといった良好なオプトエレクトロニクス機器やMOSFETといった良好なエレクトロニクス機器を製造できる。

請求項（抜粋）：

オプトエレクトロニクスまたはエレクトロニクス機器に使用されるテンプレート型基板であって、該基板が、A)アルカリ金属(I族元素、IUPAC 1989)の少なくとも1種を含有する窒化物バルク単結晶層および、B)気相エピタキシャル成長法で形成した窒化物層を備え、層A)及び層B)が層A)の非N極性面及び層B)のN極性面で結合するテンプレート型基板。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 23/08 ,  C30B 25/02 ,  H01L 33/00

FI (4件)：

C30B29/38 D ,  C30B23/08 M ,  C30B25/02 Z ,  H01L33/00 C

Fターム (34件)：

4G077AA03 ,  4G077AB01 ,  4G077BE11 ,  4G077DA05 ,  4G077DB05 ,  4G077DB08 ,  4G077EA02 ,  4G077EA04 ,  4G077EA06 ,  4G077EB01 ,  4G077ED06 ,  4G077EE02 ,  4G077EE06 ,  4G077HA02 ,  4G077TB04 ,  4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030AA17 ,  4K030BA08 ,  4K030BA38 ,  4K030BB02 ,  4K030BB12 ,  4K030CA04 ,  4K030CA12 ,  4K030FA10 ,  4K030HA04 ,  4K030LA14 ,  4K030LA15 ,  4K030LA18 ,  5F041CA34 ,  5F041CA64 ,  5F041CA65 ,  5F041CA66 ,  5F041CA73

引用特許：

審査官引用 (1件)

• III族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体素子
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-268394   出願人：株式会社リコー

引用文献：

審査官引用 (1件)

• Substrates for gallium nitride epitaxy