特許

J-GLOBAL ID：200903064068155928

III族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体素子

発明者： 三樹 剛
出願人/特許権者： 株式会社リコー
代理人 (1件)： 植本 雅治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-268394
公開番号（公開出願番号）：特開2002-068897
出願日： 2000年08月31日
公開日（公表日）： 2002年03月08日
要約：

【要約】【課題】 高品位かつ大型のIII族窒化物単結晶を再現性良く得ることの可能なIII族窒化物結晶の結晶成長方法および結晶成長装置およびIII族窒化物結晶および半導体素子を提供する。【解決手段】 加熱および加圧中は、温度の上昇と共に反応容器106内のNaの蒸気圧は上昇し、混合融液107中のNaのモル比は、Naが蒸発した分だけ減少する。時間の経過に従い、反応容器106と蓋105との隙間から、あるいは、蓋105に設けられた貫通孔104からの反応容器106外へのNaの散逸により、混合融液107中のNaのモル比は徐々に減少するが、Naの充填量が十分であれば、結晶核生成までNaのモル比は必要なモル比が確保される。結晶核生成後も、Naの反応容器106外への散逸によりNaのモル比は減少する。これにより、競合する結晶核の生成を抑制することができる。

請求項（抜粋）：

反応容器内で、金属NaあるいはNaを含む化合物とIII族金属および窒素あるいは窒素を含む化合物を用いてIII族窒化物結晶を結晶成長させるIII族窒化物結晶の結晶成長方法において、III族金属と金属NaまたはNaを含む化合物の混合融液中のNaのモル比を、昇温過程,窒素加圧過程および結晶核生成までの過程では高く維持し、結晶核生成の過程以後は、結晶核生成の過程よりも低くするように制御することを特徴とするIII族窒化物結晶の結晶成長方法。

IPC (4件)：

C30B 29/38 ,  C30B 9/02 ,  H01L 21/208 ,  H01S 5/343

FI (4件)：

C30B 29/38 D ,  C30B 9/02 ,  H01L 21/208 D ,  H01S 5/343

Fターム (22件)：

4G077AA02 ,  4G077BE15 ,  4G077CC04 ,  4G077CC05 ,  4G077EA08 ,  4G077EC08 ,  4G077HA12 ,  5F053AA03 ,  5F053AA45 ,  5F053BB04 ,  5F053DD20 ,  5F053FF04 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053LL03 ,  5F053RR03 ,  5F053RR20 ,  5F073AA11 ,  5F073AA74 ,  5F073CA07 ,  5F073DA02

引用特許：

審査官引用 (1件)

• 窒化物結晶の成長方法およびGaN結晶の成長方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平9-221628   出願人：日立電線株式会社