磁気抵抗効果装置およびその製造方法ならびに薄膜磁気ヘッドおよびその製造方法

発明者： , , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：星宮勝美
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-213543
公開番号（公開出願番号）：特開2002-124719
出願日： 2001年07月13日
公開日（公表日）： 2002年04月26日
要約：

【要約】【課題】磁気抵抗効果装置の感度、出力および出力安定性を向上させると共に、実効読み出しトラック幅を精度よく決定できるようにする。【解決手段】磁気抵抗効果装置は、MR素子5と、このMR素子5の各側部に隣接するように配置されたバイアス磁界印加層18と、MR素子5に対してセンス電流を流す2つの電極層6とを備えている。電極層6はMR素子5の一方の面にオーバーラップするように配置されている。2つの電極層6のオーバーラップ量の合計は0.3μm未満である。MR素子5は、スピンバルブ型GMR素子となっている。MR素子5は、下から順に積層された下地層、フリー層、スペーサ層、ピンド層、反強磁性層およびキャップ層とを有している。ピンド層は、非磁性スペーサ層と、この非磁性スペーサ層を挟むように配置され2つの強磁性層とを含んでいる。

請求項（抜粋）：

互いに反対側を向く2つの面と、それぞれ前記2つの面を連結する2つの側部とを有する磁気抵抗効果素子と、前記磁気抵抗効果素子の各側部に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対してバイアス磁界を印加する2つのバイアス磁界印加層と、それぞれ各バイアス磁界印加層の一方の面に隣接するように配置され、前記磁気抵抗効果素子に対して信号検出用の電流を流す2つの電極層とを備えた磁気抵抗効果装置であって、前記2つのバイアス磁界印加層は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に重ならないように配置され、前記2つの電極層のうちの少なくとも一方は、前記磁気抵抗効果素子の一方の面に部分的に重なるように配置され、電極層が磁気抵抗効果素子の一方の面に重なる領域の合計の長さは0.3μm未満であることを特徴とする磁気抵抗効果装置。

IPC (6件)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/26 , H01L 43/12

FI (7件)：

H01L 43/08 Z , H01L 43/08 B , G11B 5/39 , H01F 10/16 , H01F 10/26 , H01L 43/12 , G01R 33/06 R

Fターム (20件)：

2G017AA10 , 2G017AD55 , 5D034BA04 , 5D034BA05 , 5D034BA08 , 5D034BA12 , 5D034BB02 , 5D034CA04 , 5D034CA08 , 5E049AA01 , 5E049AA04 , 5E049AA07 , 5E049AA09 , 5E049AC00 , 5E049AC05 , 5E049BA12 , 5E049CB01 , 5E049DB02 , 5E049DB12 , 5E049GC01

引用特許：

審査官引用 (2件)

磁気抵抗効果素子の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-010330 出願人：ソニー株式会社
磁気ヘッド及び磁気ヘッドの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願2000-131438 出願人：富士通株式会社

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