特許
J-GLOBAL ID：200903091620288374
磁気抵抗効果素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小池 晃 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-010330
公開番号（公開出願番号）：特開2001-202605
出願日： 2000年01月17日
公開日（公表日）： 2001年07月27日
要約：
【要約】【課題】 磁気抵抗効果薄膜上にオーバーラップしている電極層の形成を単純化する。【解決手段】 MR薄膜2に対してエッチング施すときに形成するレジスト層をアンダーカット有する形状、又は逆テーパ形である形状とする。また、電極層4をスパッタにより形成するときの、スパッタ粒子の入射角θを調節する。このことにより、一対のバイアス層3と、一対の電極層4とを一回のリフトオフによって連続して形成することが可能となる。
請求項（抜粋）：
電極オーバーラップ構造をもつ磁気抵抗効果素子を、薄膜形成工程によって製造するに際し、基板上に、磁気抵抗効果膜を所定の幅で形成する磁気抵抗効果膜形成工程と、上記磁気抵抗効果膜上に、アンダーカットを有する形状又は逆テーパ形の形状であるレジスト層を形成し、上記磁気抵抗効果膜の両端に一対のバイアス層を硬磁性材料によって形成するバイアス層形成工程と、上記レジスト層をマスクとして、上記バイアス層上に一対の電極層を導電性金属材料をスパッタすることによって、上記磁気抵抗効果膜にオーバーラップして形成する電極層形成工程とを有することを特徴とする磁気抵抗効果素子の製造方法。
Fターム (3件)：
5D034BA03
, 5D034BA08
, 5D034DA07
