特許

J-GLOBAL ID：200903047088839112

半導体製造装置およびそれを利用した半導体装置の製造方法

発明者： 田牧 一郎
出願人/特許権者： 川崎マイクロエレクトロニクス株式会社
代理人 (1件)： 渡辺 望稔 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-061582
公開番号（公開出願番号）：特開2003-257878
出願日： 2002年03月07日
公開日（公表日）： 2003年09月12日
要約：

【要約】【課題】長期に安定して稼動できる半導体製造装置およびそれを利用した半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体製造装置1は半導体基板を処理する処理室10を有する。処理室10には真空ポンプ31、圧力計30およびMFC20が設けられており、MFC20にはボンベ21が設けられている。圧力計30およびMFC20に制御部11が接続されている。制御部11には圧力計30およびMFC20の補正量が、補正した時刻と共に記憶されるメモリ12と、補正結果に基づいて圧力計30およびMFC20の異常および交換時期の少なくとも一方を検出する検出部と、検出部により検出された結果などを表示する表示部13とが設けられている。処理室10で半導体基板が処理される前に圧力計30およびMFC20のゼロ点が調整される。これにより、長期にわたり半導体基板を安定して処理できる。

請求項（抜粋）：

レシピに定められた一連の操作を自動的に行うことによって半導体基板の処理を行う半導体製造装置であって、マスフローコントローラを通じて所定流量のガスを供給した雰囲気で前記半導体基板の処理を行う処理室と、前記レシピを記憶し、前記処理室の動作を制御する制御部とを有し、前記レシピの一連の操作の1つにおいて、前記マスフローコントローラのゼロ点補正を行うことを特徴とする半導体製造装置。

IPC (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

FI (2件)：

H01L 21/205 ,  C23C 16/455

Fターム (15件)：

4K030AA03 ,  4K030AA13 ,  4K030BA40 ,  4K030CA04 ,  4K030EA03 ,  4K030FA10 ,  4K030JA05 ,  4K030JA09 ,  4K030KA39 ,  4K030LA15 ,  5F045AA06 ,  5F045BB10 ,  5F045EE04 ,  5F045GB02 ,  5F045GB16

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 質量流量制御装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-122254   出願人：日立金属株式会社
• 半導体製造装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平6-160239   出願人：国際電気株式会社