特許
J-GLOBAL ID：200903047090855753
配線材料層のエッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
船橋 國則
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-222142
公開番号（公開出願番号）：特開平7-058088
出願日： 1993年08月13日
公開日（公表日）： 1995年03月03日
要約：
【要約】【目的】 本発明は、段差を有する下地層上に形成したアルミニウム系金属膜を、アンダーカットを生じることなく加工性良くエッチングして配線を形成することで、配線の信頼性の向上を図る。【構成】 基板11上に層間絶縁膜13を形成し、さらにチタン膜17等の下地層を形成した後、配線材料層のアルミニウム系金属膜18を形成し、それらからなるアルミニウム系多層膜20をエッチングする際に、例えば、段差上部31のチタン膜17の一部分または層間絶縁膜13の一部分が露出したときに、入射イオンエネルギーを増大させる、または、エッチングレートを低下させる、または、入射イオンエネルギーを増大させるとともに、エッチングレートを低下させる。上記エッチングレートを低下させるには、例えば、エッチングガス中の塩素ガスの流量を減少させる、またはエッチング雰囲気の圧力を低下させる。
請求項（抜粋）：
高温スパッタ法によって基板上に形成したアルミニウム系金属よりなる配線材料層をエッチングして配線を形成する配線材料層のエッチング方法において、前記エッチングは、当該エッチングの途中から、入射イオンエネルギーを増大させて行うことを特徴とする配線材料層のエッチング方法。
IPC (4件)：
H01L 21/3065
, H01L 21/203
, H01L 21/3213
, H01L 21/3205
H01L 21/302 G
, H01L 21/88 D
, H01L 21/88 N
, H01L 21/88 R
