プラズマ処理装置

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-167451
公開番号（公開出願番号）：特開平8-017748
出願日： 1994年06月27日
公開日（公表日）： 1996年01月19日
要約：

【要約】【目的】被処理体が大口径化してもその膜厚の面内均一性を向上させることができるプラズマ処理装置を提供する。【構成】気密な処理容器4内においてサセプタ6上に載置された被処理体Wに対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の内側或いは外側に前記サセプタと対向させて設けられた電磁波発生用のアンテナ部材22と、このアンテナ部材に接続された高周波電源32と、前記処理容器に処理ガスを供給するための供給通路56A,56Bと、この供給通路の先端に設けられて前記サセプタの上方に上下方向に複数段に亘って配置された処理ガス噴出孔58A,58Bとを備え、上段側に位置する前記ガス噴出孔を下段側に位置する前記処理ガス噴出孔よりも処理容器中心側に位置させる。これにより、被処理体が大口径化しても処理空間のプラズマや反応種の濃度を均一にでき、従って、成膜の厚みの面内均一性を大幅に向上させることができる。

請求項（抜粋）：

気密な処理容器内においてサセプタ上に載置された被処理体に対してプラズマ処理を施すプラズマ処理装置において、前記処理容器の内側或いは外側に前記サセプタと対向させて設けられた電磁波発生用のアンテナ部材と、このアンテナ部材に接続された高周波電源と、前記処理容器に処理ガスを供給するための供給通路と、この供給通路の先端に設けられて前記サセプタの上方に上下方向に複数段に亘って配置された処理ガス噴出孔とを備え、上段側に位置する前記ガス噴出孔を下段側に位置する前記処理ガス噴出孔よりも処理容器中心側に位置させることを特徴とするプラズマ処理装置。

IPC (3件)：

H01L 21/205 , C23C 16/50 , C23C 16/52

引用特許：

審査官引用 (7件)

特開平2-250976
特開平3-094422
光励起プロセス装置及びそれを用いた半導体デバイスの製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-181722 出願人：キヤノン株式会社

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