炭化珪素膜の製造方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：池内寛幸 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-322331
公開番号（公開出願番号）：特開2000-150393
出願日： 1998年11月12日
公開日（公表日）： 2000年05月30日
要約：

【要約】【課題】化学蒸着(CVD)により基板上に形成された炭化珪素の表面の少なくとも一部を500nm以上除去することにより、欠陥が少なく電気的に良好な炭化珪素表面を提供する。【解決手段】炭化珪素成長終了時の結晶成長温度からの降温過程で残留ガスにより堆積した結晶性が悪く欠陥を含んだ余分な表面22を除去し、欠陥が低減された炭化珪素24上にショットキー電極25を形成する。基板Bの表面はリアクティブイオンエッチング(RIE)装置によりエッチングする。ガス種として四弗化炭素(CF4)および酸素(O2)の混合ガスを用いる。

請求項（抜粋）：

化学蒸着(CVD)により基板上に形成された炭化珪素の表面の少なくとも一部を、膜厚方向に500nm以上除去することを特徴とする炭化珪素膜の製造方法。

IPC (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/32 , H01L 21/3065 , H01L 29/872

FI (4件)：

H01L 21/205 , C23C 16/32 , H01L 21/302 N , H01L 29/48 D

Fターム (42件)：

4K030AA06 , 4K030AA09 , 4K030AA17 , 4K030BA37 , 4K030BB01 , 4K030CA04 , 4K030CA05 , 4K030DA08 , 4K030FA10 , 4K030JA01 , 4K030JA09 , 4K030JA10 , 4K030LA12 , 4M104AA03 , 4M104BB09 , 4M104CC01 , 4M104CC03 , 4M104DD08 , 4M104DD22 , 4M104GG18 , 4M104HH15 , 5F004AA06 , 5F004AA16 , 5F004DA01 , 5F004DA26 , 5F004DB00 , 5F004EA34 , 5F004FA01 , 5F004FA07 , 5F045AA06 , 5F045AB06 , 5F045AC01 , 5F045AC07 , 5F045AD18 , 5F045AE25 , 5F045AF07 , 5F045BB12 , 5F045BB16 , 5F045DA61 , 5F045DP04 , 5F045HA13 , 5F045HA14

引用特許：

審査官引用 (1件)

炭化珪素薄膜構造体およびその作製方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平8-150085 出願人：ホーヤ株式会社

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