特許

J-GLOBAL ID：200903047132000745

量子ドット構造体及びその形成方法、並びに該量子ドット構造体を有する半導体デバイス装置

発明者： 長尾 哲 ,  天内 英隆
出願人/特許権者： 三菱化学株式会社
代理人 (1件)： 釜田 淳爾 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-396791
公開番号（公開出願番号）：特開2002-198512
出願日： 2000年12月27日
公開日（公表日）： 2002年07月12日
要約：

【要約】【課題】 量子ドットの大きさ、密度及び発光ピークの制御性及び安定性に優れ、簡便な方法で製造しうる量子ドット構造体を提供すること。【解決手段】 III-V族元素からなる第1の化合物半導体層と、量子ドットを形成するIII-V族元素からなる第2の化合物半導体とを有する量子ドット構造体であって、前記量子ドットを形成する第2の化合物半導体は、第1の化合物半導体層を構成するV族元素の少なくとも一部が異なるV族元素に置換された構造を有することを特徴とする量子ドット構造体。

請求項（抜粋）：

III-V族元素からなる第1の化合物半導体層と、量子ドットを形成するIII-V族元素からなる第2の化合物半導体とを有する量子ドット構造体であって、前記量子ドットを形成する第2の化合物半導体は、第1の化合物半導体層を構成するV族元素の少なくとも一部が異なるV族元素に置換された構造を有することを特徴とする量子ドット構造体。

IPC (2件)：

H01L 29/06 ,  H01S 5/343

FI (2件)：

H01L 29/06 ,  H01S 5/343

Fターム (7件)：

5F073AA51 ,  5F073AA55 ,  5F073AA75 ,  5F073CA17 ,  5F073CB07 ,  5F073CB10 ,  5F073DA06

引用特許：

審査官引用 (3件)

• 光半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-138557   出願人：富士通株式会社
• 特許第3768790号
  
• 半導体装置及びその製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-370631   出願人：富士通株式会社