特許
J-GLOBAL ID：200903041032902298

半導体装置及びその製造方法

発明者：
向井 剛輝

向井 剛輝 について


出願人/特許権者：
富士通株式会社

富士通株式会社 について


代理人 (1件)： 北野 好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-370631
公開番号（公開出願番号）：特開2000-196193
出願日： 1998年12月25日
公開日（公表日）： 2000年07月14日
要約：
【要約】【課題】 量子ドットを有する半導体装置及びその製造方法に関し、量子ドットの発光波長を制御しうる半導体装置の構造及びその製造方法を提供する。【解決手段】 半導体基板10と、半導体基板10上に形成され、表面近傍における格子定数が半導体基板10との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層12と、バッファ層12上に形成され、発光波長がバッファ層12の表面近傍における格子定数によって規定された量子ドットとにより半導体装置を構成する。
請求項（抜粋）：
半導体基板と、前記半導体基板上に形成され、表面近傍における格子定数が前記半導体基板との界面近傍における格子定数とは異なるバッファ層と、前記バッファ層上に形成された量子ドット層とを有することを特徴とする半導体装置。
IPC (2件)：
H01S 5/323 ,  H01L 29/06
FI (2件)：
H01S 3/18 673 ,  H01L 29/06
Fターム (8件)：
5F073AA45 ,  5F073AA55 ,  5F073AA75 ,  5F073CA07 ,  5F073CB07 ,  5F073DA05 ,  5F073DA06 ,  5F073DA35
引用特許：
審査官引用 (4件)
全件表示

前のページに戻る

TOP

BOTTOM