特許

J-GLOBAL ID：200903047139084430

一電子トンネルトランジスタ回路およびその製造方法

発明者： 鳥谷部 達 ,  蒲原 史朗 ,  山本 秀一 ,  片山 弘造 ,  井原 茂男
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 小川 勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-245503
公開番号（公開出願番号）：特開平5-090567
出願日： 1991年09月25日
公開日（公表日）： 1993年04月09日
要約：

【要約】【目的】多結晶シリコンと微小面積酸化膜からなる一電子トンネルトランジスタを横型にして平面上に形成できることを利用して配線工程で容易に回路を提供できることにある。【構成】多結晶シリコンと微小面積酸化膜からなる横型一電子トンネルトランジスタと絶縁膜、配線により達成される。【効果】配線工程が一括して行なうことができるため、一電子トンネルトランジスタの回路を容易にかつ信頼性よく形成することができる。

請求項（抜粋）：

絶縁基板上に多結晶シリコンと、トンネルが可能でかつ指定された動作温度においてクーロンブロケイドによりトンネルが禁止される程度の微小面積酸化膜からなる複数個の横型一電子トンネルトランジスタが平面上に配置され、その上部に酸化膜絶縁層とコンタクト穴を有し、その上部で平面的に金属で 配線されたことを特徴とする一電子トンネルトランジスタ回路。