特許

J-GLOBAL ID：200903047173637804

半導体集積回路

発明者： 新家 智彦
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (2件)： 板垣 孝夫 ,  森本 義弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-421739
公開番号（公開出願番号）：特開2005-183642
出願日： 2003年12月19日
公開日（公表日）： 2005年07月07日
要約：

【課題】 半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することを目的とする。 【解決手段】 層間膜の平坦化のために最上位配線層領域に形成されたダミーパターンに対して、間引く,形状を変える,大きさを変える等の変化を施すことにより、周囲のダミーパターンに対して特長をもたせ、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置を特定することができる。また、この変化させたダミーパターンを含む一定の区画204を明確に示するために、特定のダミーパターンに対して、間引く,形状を変える,大きさを変える等の変化を施すことにより、半導体集積回路の表面画像を拡大して表示した場合に、半導体集積回路内における表面画像の位置をより容易に特定することができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

層間膜の平坦化のために最上位配線層領域にダミーパターンを形成する半導体集積回路であって、 前記ダミーパターンの内あらかじめ定められた所定のダミーパターンに変化を施すことにより前記半導体集積回路の位置を特定するための目印とすることを特徴とする半導体集積回路。

IPC (3件)：

H01L21/822 ,  H01L21/3205 ,  H01L27/04

FI (2件)：

H01L27/04 A ,  H01L21/88 S

Fターム (10件)：

5F033MM21 ,  5F033VV01 ,  5F033XX00 ,  5F033XX01 ,  5F033XX36 ,  5F038CA02 ,  5F038CA05 ,  5F038CA07 ,  5F038CA18 ,  5F038EZ20

引用特許：

出願人引用 (1件)

• 半導体集積回路
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平11-064289   出願人：三菱電機株式会社