特許
J-GLOBAL ID:200903047176735050

放射放出オプトエレクトロニクス素子

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (8件): 矢野 敏雄 ,  山崎 利臣 ,  久野 琢也 ,  杉本 博司 ,  星 公弘 ,  二宮 浩康 ,  アインゼル・フェリックス=ラインハルト ,  ラインハルト・アインゼル
公報種別:公表公報
出願番号(国際出願番号):特願2008-532593
公開番号(公開出願番号):特表2009-510744
出願日: 2006年09月27日
公開日(公表日): 2009年03月12日
要約:
半導体ボディ(1)の前面(3)から放出される第1の波長の電磁放射を生成するのに適した活性半導体層列(2)を含む半導体ボディ(1)を備えたオプトエレクトロニクス素子を開示する。さらにオプトエレクトロニクス素子は、半導体ボディ(1)の放射方向で見て該半導体ボディ(1)に後置された第1の波長変換材料(6)を有し、さらに、活性半導体層列(2)と第1の波長変換材料(6)との間に設けられた第1の選択的反射性層(8)を有する。前記第1の波長変換材料(6)は第1の波長の放射を、該第1の波長と異なる第2の波長の放射に変換し、前記第1の選択的反射性層(8)は前記第2の波長の放射を選択的に反射し、前記第1の波長の放射に対しては透過性である。
請求項(抜粋):
オプトエレクトロニクス素子において、 ・第1の波長の電磁放射を生成するのに適した活性半導体層列(2)を含む半導体ボディ(1)と、 ・該半導体ボディ(1)の放射方向で見て該半導体ボディ(1)の下流に配置された第1の波長変換材料(6)と、 ・該活性半導体層列(2)と該第1の波長変換材料(6)との間に設けられた第1の選択的反射性層(8) とを有し、 該第1の波長の電磁放射は、該半導体ボディ(1)の前面(3)から放出され、 該第1の波長変換材料(6)は該第1の波長の電磁放射を、該第1の波長と異なる第2の波長の放射に変換し、 該第1の選択的反射性層(8)は、該第2の波長の放射を選択的に反射し、該第1の波長の放射に対して透過性である ことを特徴とする、オプトエレクトロニクス素子。
IPC (1件):
H01L 33/00
FI (2件):
H01L33/00 A ,  H01L33/00 N
Fターム (15件):
5F041AA03 ,  5F041AA11 ,  5F041AA12 ,  5F041CA04 ,  5F041CA77 ,  5F041CB13 ,  5F041CB15 ,  5F041CB36 ,  5F041DA19 ,  5F041DA34 ,  5F041DA35 ,  5F041DA36 ,  5F041DA55 ,  5F041DA76 ,  5F041EE25
引用特許:
審査官引用 (3件)

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