特許

J-GLOBAL ID：200903047195709175

半導体装置

発明者： 山崎 舜平 ,  大谷 久 ,  福永 健司
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-083144
公開番号（公開出願番号）：特開平9-246565
出願日： 1996年03月12日
公開日（公表日）： 1997年09月19日
要約：

【要約】【目的】 優れた性能を有する薄膜トランジスタを作製する技術を提供する。【構成】 薄膜トランジスタがオン状態にある時、オン電流の流れる方向と結晶成長方向とが一致するような構成とする。このような構成とすると、活性層内の結晶粒界がオン電流の妨げとならない。また、薄膜トランジスタがオフ状態にある時、オフ電流は結晶粒界と必ず直交することになる。そこでは結晶粒界が妨げとなってオフ電流が効果的に抑制される。

請求項（抜粋）：

絶縁表面を有する基体上に形成された結晶性珪素膜でなる活性層を有する半導体装置であって、前記結晶性珪素膜は前記基体と概略平行な柱状または針状の結晶が複数集合して形成される横成長領域を含み、前記活性層は前記横成長領域のみで構成され、かつ、ソース領域、ドレイン領域、浮島領域およびベース領域とを少なくとも含む構成からなり、前記柱状または針状の結晶の成長方向と前記活性層の前記ソース領域および前記ドレイン領域を最短で結ぶ方向とが概略一致することを特徴とする半導体装置。

IPC (5件)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/336

FI (8件)：

H01L 29/78 620 ,  H01L 21/20 ,  H01L 21/268 Z ,  H01L 21/324 Z ,  H01L 29/78 617 K ,  H01L 29/78 618 C ,  H01L 29/78 618 G ,  H01L 29/78 627 G

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開平4-158580
  
• 半導体装置
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平5-166117   出願人：株式会社半導体エネルギー研究所