半導体装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-166117
公開番号（公開出願番号）：特開平6-349735
出願日： 1993年06月12日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】【目的】結晶性珪素膜を600度以下の低温で形成する。【構成】非晶質珪素膜に選択的に8族を中心とした金属元素例えばNiを導入し、加熱により珪素膜を結晶化させる。この際、結晶成長が基板に沿って進行する。例えば、100で示される領域に選択的にNiが導入された場合、その領域から結晶成長が105で示されるように行われる。そしてこの領域において、結晶成長方向とキャリアの移動方向とを揃えることによって、キャリアが高速で移動するデバイスを得ることができる。

請求項（抜粋）：

基板上に形成された非単結晶珪素膜を用いた半導体装置であって、前記非単結晶珪素膜には、結晶化を促進させる触媒材料から選ばれた1種または複数種の材料が特定の領域に添加されており、該領域からは基板表面に概略平行な方向に結晶成長が行われており、前記結晶成長が行われた領域の非単結晶珪素膜を利用して半導体装置が形成されていることを特徴とする半導体装置。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/324 , H01L 21/336 , H01L 29/784

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体装置の製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-229120 出願人：沖電気工業株式会社
特開平2-140915

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